长江存储推出UFS 3.1高速闪存芯片 加速5G时代存储升级

  【雷竞技须安全稳定 DIY硬件频道】4月19日，长江存储推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代打造的一款高速闪存芯片，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域，以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场，将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。

  长江存储高级副总裁陈轶表示 ：“随着5G通信、大数据、AIoT的加速普及，我们的工作生活随时随地与信息和数据相伴。智能终端需要在短时间内处理海量数据，这对存储芯片的容量、性能及响应速度提出了更加严苛的要求。长江存储依托创新晶栈(Xtacking)架构3D NAND闪存，已面向办公、移动通信和企业级存储市场陆续推出了多款商用解决方案。UC023作为长江存储面向高端嵌入式市场的首款旗舰产品，具有高速、稳定、耐用等特点，将为移动产品带来敏捷的响应速度和畅快的使用体验。” 

  根据JEDEC 2020年发布的标准，在加入了写入增强器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)、性能调整通知(Performance Throttling Notification)等技术后，UFS 3.1理论带宽可达2.9GB/s，性能较eMMC 5.1及UFS 2.2有了大幅提升。UFS 3.1作为当下旗舰智能手机、平板的首选存储方案，可大幅缩短应用加载的等待时间，提升工作效率，为消费者带来8K视频、AR/VR等前沿技术的优质体验。

  业内著名分析机构Counterpoint资深分析师Brady Wang表示：“后疫情时代下，手机已经不仅仅是一种通信工具，更兼具了工作、会议、学习、娱乐、购物等多重作用，尤其是大幅改善的相机品质和数量，使得手机需要更大的存储容量与更快的响应速度。高端旗舰手机(售价$600以上)的存储容量需求在过去的三年中攀升明显，其2021年平均存储容量相较2019年提升约17.8%，存储需求上涨约48%。”

  为了使消费者在赏玩高帧率游戏、观看8K高清视频时获得更为流畅的使用体验，长江存储UFS 3.1闪存UC023采用全新升级的晶栈2.0(Xtacking 2.0)技术的TLC 3D闪存颗粒，设计和工艺得到了进一步的改良优化。作为旗舰级UFS 3.1闪存，UC023还具备如下特点： 

  • 解码多项新技术，全面释放UFS 3.1优势：搭载主机碎片化整理技术(HID)，优化数据处理操作，节省更多存储空间;引入随机写性能优化机制，写入速度提升至230K IOPS，实现多个应用自如切换。

  • 出色的性能功耗比，增强用户移动体验：发挥极致读写性能的同时，仍然保证超低功耗运行。在线观看8K高清视频不卡顿，设备待机时间显著增长。

  • 为客户量身定制，提供多款主流容量：UC023提供定制化产品开发服务与及时、专业、高效的技术支持;128、256和512GB三款存储容量，满足主流市场需求。

  UC023现已通过各平台验证，兼容性强、应用广泛。此次UC023的正式发布，标志着长江存储嵌入式解决方案可以满足更为严苛的测试标准，适配更复杂的使用环境。

  2020年至今，长江存储凭借创新的技术、务实的作风，及时、快速地响应市场需求，先后研发并量产了满足不同细分市场需求的存储芯片，从入门级的eMMC 5.1到主流的UFS 2.2，再到高速的UFS 3.1闪存，为智能终端客户提供了多样化、高可靠性的产品组合。未来，长江存储还将以晶栈(Xtacking)技术为核心，持续完善产品布局，与产业链上下游携手并进，为全球半导体产业持续贡献价值。